投资重点

事件：9月4日中微公司在第十三届半导体斥地与中枢部件及材料展上推出六款新斥地，涵盖高尚宽比&聘用比刻蚀、ALD、EPI等斥地。

刻蚀新品高尚宽比CCP与金属刻蚀ICP，有望充分受益于制程演进：(1)公司新一代高尚宽比CCP刻蚀机PrimoUD-RIE基于熟识架构升级，配备六个反映腔，通过更高功率更低频率射频偏压电源，提供更高离子轰击能量，不错幽闲极高尚宽比刻蚀的严苛条目，兼顾刻蚀精度与坐褥后果。当今我国NAND已竣事200层+量产，并向300层发展；其通谈孔深度进步5微米、深宽比大于60:1，权臣推升对极高尚宽比通孔刻蚀的需求。(2)高聘用比ICP刻蚀PrimoMenova斥地擅长金属Al线、Al块刻蚀，庸俗适用于先进逻辑和存储芯片制造，在刻蚀均一性、聘用比与低底层挫伤等方面进展隆起，并集成高效腔体清洁及高温水蒸气除胶腔室贪图，素质后果与厚实性；25年6月首台机已付运客户考据，进展顺利。先进逻辑与存储芯片的金属互连层数不断增多(28nm工艺约8–10层，7nm/5nm节点达13–14层)，对金属刻蚀的精度和均一性提倡更严苛条目，公司ICP斥地有望充分受益。

新品ALD掩盖多种先进制程金属，双腔EPI幽闲客户降本增效需求：(1)PreformaUniflash系列ALD：掩盖TiN、TiAl、TaN三大材料，创举双反映台与多级混气贪图，薄膜均一性和后果达到国外先进水平。金属栅手脚先进逻辑器件的要津体式，对栅极薄膜的厚度限度、台阶掩盖率及颗粒抑止提倡极高条目，鼓吹晶圆厂对高精度ALD斥地需求加快开释。(2)PRIMIOEpitaRP双腔减压外延：具备众人最小反映腔体积与多腔活泼延伸(至多可建树6腔)，镌汰OPEX与化学品滥用的同期，竣事高坐褥后果，可幽闲先进逻辑、存储等多范畴外延工艺需求。24年8月，该斥地已付运到客户进行熟识制程和先进制程考据。

平台化布局加快落地：公司平台化布局掩盖刻蚀、薄膜、量检测及裸露斥地。辩别2025年上半年末，已有6,800台等离子体刻蚀与化学薄膜反映腔在国表里155条产线竣事量产，并酿成范畴化批量订单。同期，公司确立超微公司切入电子束检测范畴，引入领军东谈主才，加快检测斥地布局。这次发布多款先进薄膜与刻蚀斥地，平台化布局再次加快。

盈利瞻望与投资评级：咱们保管公司2025-2027年归母净利润为24.3/34.0/44.5亿元，现时股价对应动态PE区分为51/37/28倍，保管“买入”评级。

风险领导：晶圆厂扩产节拍不足预期体育游戏app平台，新品研发&产业化不足预期等。